Elastik və təhlükəsiz yaddaş qurğusu yaradıldı

"ICTnews” Elektron Xəbər Xidməti "Naked Science” resursuna istinadən yazır ki, yeni yaddaş növü sərbəst girişə malik ikiterminallı tunel yaddaş qurğusu (TRAM) adlanır.

 

"TRAM”-ın işi zamanı elektrodlar arasında gərginliyin dəyişməsi elektronların h-BN izolyatoru vasitəsilə kanaldan elastik qrafen qatda tunelləşdirilməsinə səbəb olur. Qrafen mənfi enerji alanda, məlumatlar yazılır, enerji müsbət olanda, informasiya silinir. Beləliklə, 0 (yazma) və 1 (silmə) rəqəmləri yeni yaddaş qurğusunda enerjinin qatların içindən keçməsi ilə həyata keçirilir.

Effektə izolə edən qatın lazımi qalınlığı (7,5 nanometr) sayəsində nail olmaq mümkün olub. Bu səviyyə enerji sızmasının və qrafenin sərtliyinin artmasının qarşısını alıb. Sınaqlar çərçivəsində mütəxəssislər "TRAM”-ı müxtəlif altlıqlar əsasında - elastik plastmasdan (PET) və polidimetilsioksandan (PDMS) hazırlayıblar. Hər iki nümunədə gərginlik müvafiq olaraq 0,5 və 20 faizə çatıb. Ənənəvi yaddaş növləri (RAM və PRAM) ilə müqayisədə "TRAM” yüksək məhsuldarlıq nümayiş etdirib.

Elastik yaddaş qurğusunun elastik elektronika sahəsində tətbiq ediləcəyi gözlənilir. Məsələn, "TRAM” smartfonlardan ötürülən məlumatların saxlanılması üçün istifadə oluna bilər.

Qrafen poladdan möhkəm materialdır və çox nazik olduğuna görə ikiölçülü hesab edilir. Materialın torunun qalınlığı bir atom təşkil edir ki, bu da kağızdan bir milyon dəfə nazikdir. 2004-cü ildə kəşf edilən qrafen kimyəvi əlaqələrlə birləşdirilmiş karbon atomlarının bir qatından ibarət yüksək elektrik keçirici, davamlı və elastik nanomaterialdır. Bir neçə nanometrlik qalınlığa malik materialın görünən işıq üçün şəffaf olması onun mikroelektron qurğularda tətbiqinə böyük perspektivlər vəd edir. Gələcəkdə materialın əsasında yaradılacaq qurğular zədələrə hazırda istifadə edilən qurğulardan daha dözümlü olacaq.

Qrafendən istifadə geyimə quraşdırılan və ya qatlanan mobil qurğuların hazırlanması üçün kompakt və elastik enerji mənbələrinin yaradılmasına da kömək edə bilər.